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型号: MC33153P
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内容描述: 单IGBT栅极驱动器 [Single IGBT Gate Driver]
分类和应用: 驱动器MOSFET驱动器栅极驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管栅极驱动
文件页数/大小: 13 页 / 131 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MC33153
应用信息
图35显示了一个基本的IGBT驱动器应用。当
从驱动光隔离器,输入上拉电阻
所需。该电阻值应被设置为偏压输出
晶体管在所希望的电流。去耦电容
应放在靠近IC ,以最大限度地降低开关噪声。
自举二极管可以用于浮动电源。如果
保护功能是不需要的,那么这两个故障
消隐/饱和度降低和电流检测输入应
两个被连接到接地开尔文(引脚2)。当使用
与单电源,开尔文接地和V
EE
引脚应
连接在一起。独立的栅极电阻的
建议优化导通和关断驱动器。
18 V
引导
6
V
CC
7
故障
B+
7
6
V
CC
DESAT / 8
空白
C
空白
5
1
2
消隐电容应该从连接
饱和引脚到V
EE
引脚。如果双电源的情况下,该
消隐电容应连接到开尔文
地面上。该电流检测输入要绑高
因为这两个比较器输出的与条件。
虽然在IGBT的集电极上的反向电压是
通过续流二极管钳位到该发射器,有
包本身通常相当大的电感。
一个小电阻,串联二极管可用于
保护IC免受反向电压瞬变。
18 V
故障
DESAT / 8
空白
5
产量
4
1
2
MC33153
产量
SENSE
输入
V
EE
3
GND
MC33153
4
输入
V
EE
3
SENSE
GND
图37.饱和度降低应用
图35.基本应用
15 V
6
V
CC
7
故障
DESAT / 8
空白
5
产量
1
2
MC33153
4
输入
V
EE
3
SENSE
GND
当使用感IGBT或检测电阻,感
电压加在电流检测输入。感之旅
电压参考的开尔文接地引脚。感
电压非常小,通常为约65毫伏,而敏感
噪声的影响。因此,有义和接地回路导体
应路由作为差分对。 RC滤波器是有用的
在滤除任何高频噪声。消隐电容
从消隐引脚到V连接
EE
。流浪
消隐引脚上的电容提供了一个非常小的水平
如果敞开消隐。消隐引脚不应该
使用电流检测接地时,将禁用
感。消隐引脚不应该被拉高,这
将短路的钳位晶体管。
18 V
−5.0 V
7
图36.双电源应用
故障
6
V
CC
DESAT / 8
空白
5
产量
1
2
当在双电源应用在图36中,作为
开地应连接到的发射极
IGBT 。如果未使用的保护功能,则无论是
故障消隐/饱和度降低和电流检测输入
应连接到地面。输入光隔离器
应始终参考V
EE
.
如果去饱和保护是需要的,一个高压二极管
被连接到故障屏蔽/去饱和销。该
MC33153
SENSE
4
输入
V
EE
3
GND
图38.检测IGBT的应用
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