MC33153P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MC33153P
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内容描述：	单IGBT栅极驱动器 [Single IGBT Gate Driver]
分类和应用：	驱动器MOSFET驱动器栅极驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管栅极驱动
文件页数/大小：	13 页 / 131 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MC33153

饱和。当集电极电流上升的膝盖以上的

该装置翻出饱和。的最大电流

设备将在所述线性区域进行是的函数

基极电流和直流电流增益（八

）晶体管。

一个IGBT的输出特性类似于一个

双极型器件。然而，输出电流为的函数

栅极电压而不是电流。的最大电流

依赖于栅极电压和器件类型。 IGBT的倾向

具有非常高的跨导和高得多的

下一个短路比双极器件的电流密度。

电动机控制的IGBT被设计用于较低的电流

短路条件下的密度和更长的短路

存活时间。

用于检测饱和的最佳方法是使用一个

高电压钳位二极管和一个比较器。该MC33153

具有故障屏蔽/饱和度降低比较器

感测的集电极电压，并提供一个输出

指示时，该设备不完全饱和。二极管D1

是额定电压的外部高电压二极管

媲美的功率器件。当IGBT处于“开”和

饱和， D1将拉低电压的故障

消隐/去饱和输入。当IGBT翻出

饱和或“关闭”时，电流源将拉起输入

和跳闸的比较器。比较器的阈值是6.5 V ，

允许的最大导通电压约为5.8 V.

存在故障时，门的输入为高电平和V

大于最大允许V

CE （ SAT ）

。的输出

在饱和度降低比较相与同门输入

信号并送入短路和过电流

锁存器。过电流锁存器将关断IGBT的

当检测到的周期的剩余故障。当

输入高电平时，两个锁存器复位。参考电压

是联系在一起的开尔文地，而不是V

使

门槛独立的负栅极偏压。请注意，对于

的去饱和作用的比较器和正确操作的

故障输出的电流检测输入必须高于偏

在过流和短路比较器的阈值。

这可以通过连接引脚1到V来完成

被清除，电压会迅速回落到

CE （ SAT ）

该装置。以下的导通，有通常

相当振铃的收藏家由于到C

OSS

各IGBT的电容和寄生布线

电感。从去饱和作用的故障信号

比较器必须有足够的空白，以使二极管

被清零，铃声就可以搞定。

消隐功能使用NPN晶体管夹住

比较器的输入，当门输入为低。当输入

切换为高电平时，钳位晶体管将变成“断开” ，

允许内部电流源的消隐充电

电容。所需的消隐电容器到时间

从内部NPN晶体管的导通电压充电

该比较器的触发电压为消隐时间。

如果以后在IGBT导通发生短路和

饱和时，延迟时间将需要的时间

电流源以从消隐电容器充电

CE （ SAT ）

IGBT的到的触发电压电平

比较器。故障消隐可以使引脚8被禁用

悬空。

感IGBT保护

饱和

比较

270

开

GND

REF

6.5 V

图34.去饱和检测

该MC33153还具有可编程故障

消隐时间。在导通时， IGBT必须清除

相反的续流二极管。集电极电压会

保持高电平，直到二极管被清除。一旦二极管

另一种方法中，以保护IGBT的是，以感测

发射极电流使用电流分流器或检测的IGBT 。这

方法具有的优点能够使用高增益

不具有任何固有的短路的IGBT

能力。电流检测IGBT的工作以及当前的

感的MOSFET ，在大多数情况下。但是，基本

具有非常低的检测电压工作的问题依然存在。

感的IGBT感应电流通过该信道，并且

因此，线性相对于集电极电流。

因为IGBT具有导通电阻非常低的增量

IGBT的意识行为很像低导通电阻的电流

感的MOSFET。一个正确的输出电压

封端的传感IGBT10a非常低，通常小于

100毫伏。

感IGBT方法需要故障消隐到

防止误触发导通期间。感觉还IGBT

要求该感测信号被忽略，而在栅极低。

这是因为，镜子的输出通常会产生很大

在两个导通和关断，由于瞬态电压

集电极镜像电容。与非感应类型

的IGBT ，一个低电阻电流分流（5.0至50毫瓦）的可

用于感测的发射极电流。当输出是一个

实际短路，电感会非常低。自

消隐电路提供固定的最小导通时间，该

下一个短路峰值电流可能非常高。短

电路辨别功能是由第二实施

比较器，它具有较高的触发电压。短路

信号被锁存，并出现在故障输出。当一个

短路被检测到，在IGBT应关断为

几毫秒使其冷却下来是之前

重新打开。所述感测电路是非常相似的

饱和电路。有可能构建一个组合

电路提供保护为短路

能够IGBT和IGBT的意识。

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