BSS138LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS138LT1G
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内容描述：	功率MOSFET 200毫安， 50 V的N沟道SOT- 23 [Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	5 页 / 64 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BSS138LT1

典型电气特性

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

−55°C

25°C

0.05

0.1

0.15

0.2

25°C

−55°C

0.25

= 2.5 V

= 2.75 V

150°C

，漏极电流（ AMPS ）

图6.导通电阻与漏电流

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

5.5

4.5

3.5

2.5

1.5

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

0.45

0.5

−55°C

25°C

4.5

3.5

2.5

1.5

图7.导通电阻与漏电流

= 4.5 V

150°C

= 10 V

150°C

25°C

−55°C

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

0.45

0.5

，漏极电流（ AMPS ）

图8.导通电阻与漏电流

图9.导通电阻与漏电流

I D ，二极管电流（安培）

120

100

0.1

= 150°C

25°C

−55°C

0.01

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OSS

RSS

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，二极管的正向电压（伏）

图10.体二极管正向电压

图11.电容

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