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型号: BSS138LT1G
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内容描述: 功率MOSFET 200毫安, 50 V的N沟道SOT- 23 [Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 5 页 / 64 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BSS138LT1
首选设备
功率MOSFET
200毫安, 50 V
N沟道SOT- 23
典型的应用是DC-DC转换器,电源管理
便携式及电池供电的产品,如计算机,打印机,
PCMCIA卡,蜂窝式电话和无绳电话。
特点
http://onsemi.com
低阈值电压(V
GS ( TH)
: 0.5 V - 1.5 V)使得它非常适合
低电压应用
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无铅包可用
1
200毫安, 50 V
R
DS ( ON)
= 3.5
W
N沟道
3
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流(T
p
10
女士)
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度
范围
热阻,
结到环境
铅的最大温度
焊接目的,持续10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
L
价值
50
±
20
200
800
225
- 55〜 150
556
260
mW
°C
° C / W
°C
单位
VDC
VDC
mA
1
2
3
2
记号
SOT−23
CASE 318
21风格
J1 M
G
G
1
J1
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
订购信息
设备
BSS138LT1
BSS138LT1G
BSS138LT3
BSS138LT3G
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
(无铅)
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年10月 - 第4版
出版订单号:
BSS138LT1/D