BSS138LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS138LT1G
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内容描述：	功率MOSFET 200毫安， 50 V的N沟道SOT- 23 [Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	5 页 / 64 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BSS138LT1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

= 0伏，我

= 250

MADC ）

零栅极电压漏极电流

= 25伏，V

= 0伏）

= 50伏，V

= 0伏）

门源漏电流（V

20伏直流电，V

= 0伏）

基本特征

（注1 ）

门源阈值电压

= V

, I

= 1.0 MADC ）

静态漏 - 源极导通电阻

= 2.75伏，我

< 200 MADC ，T

= -40 ° C至+ 85°C ）

= 5.0伏，我

= 200 MADC ）

正向跨导

= 25伏直流，我

= 200 MADC ， F = 1.0千赫）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

= 25伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

= 25伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

= 25伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

国际空间站

OSS

RSS

−

3.5

5.0

GS （ TH）

DS （ ON）

−

100

5.6

−

3.5

−

毫姆欧

0.5

−

1.5

VDC

（ BR ） DSS

DSS

−

GSS

−

0.1

0.5

±0.1

MADC

−

VDC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

关断延迟时间

= 30伏直流电，我

= 0.2 ADC ，）

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结温。

D（上）

D（关闭）

−

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