BC817-16LT1G ， BC817-25LT1G ， BC817-40LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 10 mA）的
集热器
：辐射源
击穿电压
(V
EB
= 0, I
C
= 10
毫安）
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 20 V)
(V
CB
= 20 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V)
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 1.0 V)
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 500毫安，我
B
= 50 mA）的
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 1.0 V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
f
T
C
敖包
100
−
−
10
−
−
兆赫
pF
BC817−16
BC817−25
BC817−40
h
FE
100
160
250
40
−
−
−
−
−
−
−
−
250
400
600
−
0.7
1.2
−
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CBO
45
50
5.0
−
−
−
−
−
−
V
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
−
−
−
−
100
5.0
nA
mA
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
V
订购信息
设备
BC817−16LT1G
BC817−16LT3G
BC817−25LT1G
BC817−25LT3G
BC817−40LT1G
BC817−40LT3G
6C
6B
6A
特殊标记
包
SOT−23
（无铅）
SOT−23
（无铅）
SOT−23
（无铅）
SOT−23
（无铅）
SOT−23
（无铅）
SOT−23
（无铅）
航运
†
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
†有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
