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BC817-40LT3G 参数 Datasheet PDF下载

BC817-40LT3G图片预览
型号: BC817-40LT3G
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 114 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BC817-16LT1G , BC817-25LT1G , BC817-40LT1G
典型特征
BC817−40LT1
700
600
h
FE
,直流电流增益
500
400
300
200
100
0
0.001
0.01
0.1
1
25°C
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
150°C
V
CE
= 1 V
1
I
C
/I
B
= 10
150°C
0.1
25°C
−55°C
−55°C
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图16.直流电流增益与集电极
当前
−55°C
V
BE(上)
,基极发射极电压(V)的
1.1
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射
饱和电压( V)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
150°C
25°C
I
C
/I
B
= 10
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图17.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
−55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图18.基极发射极饱和电压与
集电极电流
1000
f
T
,电流增益带宽
产品(兆赫)
V
CE
= 1 V
T
A
= 25°C
图19.基极发射极电压与集电极
当前
100
10
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图20.电流增益带宽积
与集电极电流
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