BC817-16LT1G,
BC817-25LT1G,
BC817-40LT1G
通用
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
45
50
5.0
500
单位
V
V
V
MADC
1
2
SOT−23
CASE 318
类型6
3
•
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集热器
−
发射极电压
集热器
−
基极电压
辐射源
−
基极电压
集电极电流
−
连续
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
标记图
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
−55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
6x
M
G
6X M
G
G
1
=器件代码
X = A， B或C
=日期代码*
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024 99.5 ％的氧化铝。
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
©
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月
−
启示录11
1
出版订单号：
BC817−16LT1/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
