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    74HC595DTR2G 参数 Datasheet PDF下载

    74HC595DTR2G图片预览
    型号： 74HC595DTR2G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8位串行输入/串行或并行输出移位锁存具有三态输出寄存器 [8−Bit Serial−Input/Serial or Parallel−Output Shift Register with Latched 3−State Outputs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 13 页 / 156 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号74HC595DTR2G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号74HC595DTR2G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号74HC595DTR2G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号74HC595DTR2G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号74HC595DTR2G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号74HC595DTR2G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号74HC595DTR2G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号74HC595DTR2G的Datasheet PDF文件第9页  
    74HC595
    DC电气特性
    （电压参考GND）
    符号
    V
    IH
    参数
    最低高电平输入
    电压
    测试条件
    V
    OUT
    = 0.1 V或V
    CC
    – 0.1 V
    |I
    OUT
    |
    v
    20
    mA
    V
    CC
    (V)
    2.0
    3.0
    4.5
    6.0
    2.0
    3.0
    4.5
    6.0
    2.0
    4.5
    6.0
    |I
    OUT
    |
    v
    2.4毫安
    |I
    OUT
    |
    v
    6.0毫安
    |I
    OUT
    |
    v
    7.8毫安
    3.0
    4.5
    6.0
    2.0
    4.5
    6.0
    |I
    OUT
    |
    v
    2.4毫安
    |I
    OUT
    |
    v
    6.0毫安
    |I
    OUT
    |
    v
    7.8毫安
    3.0
    4.5
    6.0
    2.0
    4.5
    6.0
    |I
    OUT
    |
    v
    2.4毫安
    II
    OUT
    I
    v
    4.0毫安
    II
    OUT
    四5.2毫安
    3.0
    4.5
    6.0
    2.0
    4.5
    6.0
    |I
    OUT
    |
    v
    2.4毫安
    II
    OUT
    I
    v
    4.0毫安
    II
    OUT
    四5.2毫安
    3.0
    4.5
    6.0
    6.0
    6.0
    保证限额
    - 55〜 25_C
    1.5
    2.1
    3.15
    4.2
    0.5
    0.9
    1.35
    1.8
    1.9
    4.4
    5.9
    2.48
    3.98
    5.48
    0.1
    0.1
    0.1
    0.26
    0.26
    0.26
    1.9
    4.4
    5.9
    2.98
    3.98
    5.48
    0.1
    0.1
    0.1
    0.26
    0.26
    0.26
    ±0.1
    ±0.25
    v
    85_C
    1.5
    2.1
    3.15
    4.2
    0.5
    0.9
    1.35
    1.8
    1.9
    4.4
    5.9
    2.34
    3.84
    5.34
    0.1
    0.1
    0.1
    0.33
    0.33
    0.33
    1.9
    4.4
    5.9
    2.34
    3.84
    5.34
    0.1
    0.1
    0.1
    0.33
    0.33
    0.33
    ±1.0
    ±2.5
    v
    125_C
    1.5
    2.1
    3.15
    4.2
    0.5
    0.9
    1.35
    1.8
    1.9
    4.4
    5.9
    2.2
    3.7
    5.2
    0.1
    0.1
    0.1
    0.4
    0.4
    0.4
    1.9
    4.4
    5.9
    2.2
    3.7
    5.2
    0.1
    0.1
    0.1
    0.4
    0.4
    0.4
    ±1.0
    ±2.5
    mA
    mA
    V
    V
    V
    单位
    V
    V
    IL
    最大低电平输入
    电压
    V
    OUT
    = 0.1 V或V
    CC
    – 0.1 V
    |I
    OUT
    |
    v
    20
    mA
    V
    V
    OH
    最小高电平输出
    电压，Q
    A
    −
    Q
    H
    V
    in
    = V
    IH
    或V
    IL
    |I
    OUT
    |
    v
    20
    mA
    V
    in
    = V
    IH
    或V
    IL
    V
    V
    OL
    最大低电平输出
    电压，Q
    A
    −
    Q
    H
    V
    in
    = V
    IH
    或V
    IL
    |I
    OUT
    |
    v
    20
    mA
    V
    in
    = V
    IH
    或V
    IL
    V
    OH
    最小高电平输出
    电压， SQ
    H
    V
    in
    = V
    IH
    或V
    IL
    II
    OUT
    I
    v
    20
    mA
    V
    in
    = V
    IH
    或V
    IL
    V
    OL
    最大低电平输出
    电压， SQ
    H
    V
    in
    = V
    IH
    或V
    IL
    II
    OUT
    I
    v
    20
    mA
    V
    in
    = V
    IH
    或V
    IL
    I
    in
    I
    OZ
    最大输入漏
    当前
    最大的三态
    泄漏
    目前，Q
    A
    −
    Q
    H
    最大静态电源
    电流（每包）
    V
    in
    = V
    CC
    或GND
    输出高阻抗状态
    V
    in
    = V
    IL
    或V
    IH
    V
    OUT
    = V
    CC
    或GND
    V
    in
    = V
    CC
    或GND
    l
    OUT
    = 0
    mA
    I
    CC
    6.0
    4.0
    40
    40
    mA
    注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
    (DL129/D).
    http://onsemi.com
    4

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