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74HC595DTR2G 参数 Datasheet PDF下载

74HC595DTR2G图片预览
型号: 74HC595DTR2G
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内容描述: 8位串行输入/串行或并行输出移位锁存具有三态输出寄存器 [8−Bit Serial−Input/Serial or Parallel−Output Shift Register with Latched 3−State Outputs]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 156 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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74HC595
8位串行输入/串行或
并行输出移位
与锁存注册
三态输出
高性能硅栅CMOS
74HC595中包含一个8位的移位寄存器和一个8位的D型
锁存器与三态并行输出。移位寄存器接收串行
数据,并提供一个串行输出。移位寄存器还提供了
并行数据,以8位锁存器。移位寄存器和锁存器有
独立的时钟输入。此装置还具有异步复位
对于移位寄存器。
在HC595与SPI串行数据端口,直接连接
CMOS微处理器,微控制器。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
SOIC−16
ð后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP−16
DT后缀
CASE 948F
1
HC
595
ALYW
G
G
HC595G
AWLYWW
输出驱动能力: 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2.0〜 6.0 V
低输入电流: 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC所定义的要求
标准号7A
ESD性能: HBM
& GT ;
2000伏;机器型号
& GT ;
200 V
芯片的复杂性: 328场效应管或82个等效门
改进了HC595
提高传输延时
50 %更低的静态功耗
改进的输入噪声和闭锁免疫
这些无铅器件
HC595 =器件代码
A
=大会地点
L, WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W, WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
2007年3月,
第1版
1
出版订单号:
74HC595/D