2N7002LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002LT1G
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内容描述：	小信号MOSFET 60 V 115 mA时， N沟道SOT- 23 [Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 62 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

2N7002L

典型电气特性

2.0

1.8

I D ，漏极电流（ AMPS ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

2.0 3.0 4.0 5.0

6.0

7.0 8.0

，漏源极电压（伏）

= 25°C

I D ，漏极电流（ AMPS ）

= 10 V

9.0

1.0

2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

，门源极电压（伏）

9.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

= 10 V

−55

°C

125°C

25°C

图1.欧姆区

图2.传输特性

R DS（ON ），静态漏源导通电阻

（归一化）

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

−60

−20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

= 10 V

= 200毫安

VGS （ th）时，阈值电压（标准化）

2.4

1.2

1.05

1.1

1.10

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

−60

−20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

= V

= 1.0毫安

图3.温度与静

漏源导通电阻

图4.温度与门

阈值电压

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