欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2N7002LT1G 参数 Datasheet PDF下载

2N7002LT1G图片预览
型号: 2N7002LT1G
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 小信号MOSFET 60 V 115 mA时, N沟道SOT- 23 [Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 62 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2N7002LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7002LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7002LT1G的Datasheet PDF文件第4页  
2N7002L
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 10
MADC )
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0, V
DS
= 60 VDC )
门体漏电流,正向
(V
GS
= 20 V直流)
门体漏电流,反向
(V
GS
= - 20 V直流)
基本特征
(注5 )
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC )
通态漏电流
(V
DS
2.0 V
DS ( ON)
, V
GS
= 10 VDC )
静态漏源通态电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 500 MADC )
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 50 MADC )
静态漏源导通电阻
(V
GS
= 10 V,I
D
= 500 MADC )
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 50 MADC )
正向跨导
(V
DS
2.0 V
DS ( ON)
, I
D
= 200 MADC )
动态特性
输入电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输出电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
反向传输电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
开关特性
(注5 )
导通延迟时间
关断延迟时间
体漏二极管额定值
二极管正向导通电压
(I
S
= 11.5 MADC ,V
GS
= 0 V)
源电流连续
(体二极管)
源电流脉冲
5.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%.
V
SD
I
S
I
SM
−1.5
−115
−800
VDC
MADC
MADC
(V
DD
= 25伏直流,我
D
^
500 MADC ,
R
G
= 25
W,
R
L
= 50
W,
V
= 10 V)
t
D(上)
t
D(关闭)
20
40
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
50
25
5.0
pF
pF
pF
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
g
FS
V
GS ( TH)
I
D(上)
V
DS ( ON)
r
DS ( ON)
80
7.5
13.5
7.5
13.5
毫姆欧
3.75
0.375
1.0
500
2.5
VDC
mA
VDC
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
60
1.0
500
100
−100
VDC
MADC
NADC
NADC
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2