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2N7002LT1G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7002LT1G
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内容描述: 小信号MOSFET 60 V 115 mA时, N沟道SOT- 23 [Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 62 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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2N7002L
小信号MOSFET
60 V 115 mA时, N沟道SOT- 23
特点
无铅包可用
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 1.0毫瓦)
漏电流
- 连续T
C
= 25 ° C(注1 )
- 连续
T
C
= 100 ° C(注1 )
- 脉冲(注2)
栅源电压
- 连续
- 不重复(T
p
50
女士)
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
I
DM
价值
60
60
±
115
±
75
±
800
单位
VDC
VDC
MADC
60 V
V
( BR ) DSS
http://onsemi.com
R
DS ( ON)
最大
7.5
W
@ 10 V,
500毫安
N沟道
3
I
D
最大
115毫安
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
VDC
VPK
1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
2
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注3 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (注4 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55〜
+150
° C / W
°C
702
W
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
3
标记图
&放大器;引脚分配
3
1
2
R
qJA
P
D
SOT−23
CASE 318
21风格
702
W
1
2
=器件代码
=工作周
来源
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%.
3, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 %的氧化铝。
订购信息
设备
2N7002LT1
2N7002LT3
2N7002LT1G
2N7002LT3G
SOT−23
(无铅)
SOT−23
航运
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年7月 - 第2版
出版订单号:
2N7002L/D