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MMBT5401LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5401LT1G图片预览
型号: MMBT5401LT1G
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内容描述: 高压晶体管( PNP硅) [High Voltage Transistor(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管高压
文件页数/大小: 6 页 / 95 K
品牌: ONSEMI [ ONSEMI ]
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MMBT5401LT1  
1.0  
0.9  
2.5  
2.0  
T = 25°C  
J
T = 55°C to 135°C  
J
0.8  
0.7  
0.6  
1.5  
1.0  
0.5  
V
@ I /I = 10  
C B  
BE(sat)  
q
q
for V  
CE(sat)  
VC  
0
−0.5  
−1.0  
−1.5  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
V
@ I /I = 10  
C B  
CE(sat)  
for V  
VB  
BE(sat)  
−2.0  
−2.5  
0.1 0.2  
1.0 2.0 3.0 5.0  
0.1 0.2  
1.0 2.0 3.0 5.0  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
0.3 0.5  
10  
20 30 50  
100  
0.3 0.5  
10  
20 30 50 100  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
C
Figure 4. “On” Voltages  
Figure 5. Temperature Coefficients  
100  
70  
T = 25°C  
J
50  
V
BB  
V
CC  
+ꢀ8.8 V  
−30 V  
30  
20  
10.2 V  
C
ibo  
100  
3.0 k  
R
C
V
in  
10  
7.0  
5.0  
V
out  
0.25 mF  
10 ms  
INPUT PULSE  
R
B
C
obo  
5.1 k  
100  
3.0  
2.0  
t , t 10 ns  
f
DUTY CYCLE = 1.0%  
V
in  
1N914  
r
1.0  
0.2  
Values Shown are for I @ 10 mA  
1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0  
0.3  
0.5 0.7  
10  
20  
C
V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)  
R
Figure 6. Switching Time Test Circuit  
Figure 7. Capacitances  
1000  
700  
2000  
I /I = 10  
C B  
t @ V = 120 V  
CC  
r
1000  
700  
T = 25°C  
J
500  
I /I = 10  
C B  
t @ V = 120 V  
f CC  
T = 25°C  
J
300  
200  
500  
t @ V = 30 V  
r CC  
t @ V = 30 V  
CC  
f
300  
200  
100  
70  
t @ V = 120 V  
s CC  
100  
70  
50  
30  
20  
50  
t @ V  
d
= 1.0 V  
BE(off)  
= 120 V  
V
CC  
30  
20  
10  
0.2  
1.0 2.0 3.0 5.0  
0.2  
1.0 2.0 3.0 5.0  
0.3 0.5  
10 20 30 50  
100 200  
0.3 0.5  
10  
20 30 50  
100 200  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 8. Turn−On Time  
Figure 9. Turn−Off Time  
http://onsemi.com  
4
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