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MMBT5401LT1G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT5401LT1G
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内容描述: 高压晶体管( PNP硅) [High Voltage Transistor(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管高压
文件页数/大小: 6 页 / 95 K
品牌: ONSEMI [ ONSEMI ]
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MMBT5401LT1  
200  
150  
T = 125°C  
J
100  
25°C  
−ꢀ55°C  
0.3  
70  
50  
V
V
= 1.0 V  
= 5.0 V  
CE  
30  
20  
CE  
0.1  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
3.0  
5.0  
10  
20  
30  
50  
100  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 1. DC Current Gain  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
I
C
= 1.0 mA  
10 mA  
30 mA  
100 mA  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
5.0  
10  
20  
50  
I , BASE CURRENT (mA)  
B
Figure 2. Collector Saturation Region  
3
10  
V
= 30 V  
CE  
2
1
0
10  
I
C
= I  
CES  
10  
10  
T = 125°C  
J
75°C  
−1  
10  
10  
REVERSE  
25°C  
FORWARD  
−2  
−3  
10  
0.3 0.2 0.1  
0
0.1 0.2 0.3 0.4  
0.5 0.6 0.7  
V
BE  
, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)  
Figure 3. Collector Cut−Off Region  
http://onsemi.com  
3
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