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    PUMD3 参数 Datasheet PDF下载

    PUMD3图片预览
    型号： PUMD3
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    内容描述： NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 10 kΩ的， R2 = 10 kΩ的 [NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 308 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    PEMD3 ; PIMD3 ; PUMD3
    NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 10 kΩ的， R2 = 10 kΩ的
    5.极限值
    表6 。
    极限值
    按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    V
    I
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    输入电压TR1
    积极
    负
    输入电压TR2
    积极
    负
    I
    O
    I
    CM
    P
    合计
    输出直流（DC）
    峰值集电极电流
    总功耗
    SOT363
    SOT457
    SOT666
    T
    英镑
    T
    j
    T
    AMB
    每个器件
    P
    合计
    总功耗
    SOT363
    SOT457
    SOT666
    [1]
    [2]
    [3]
    条件
    发射极开路
    开基
    集电极开路
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    50
    50
    10
    +40
    −10
    +10
    −40
    100
    100
    200
    300
    200
    +150
    150
    +150
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    mW
    mW
    °C
    °C
    °C
    每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
    T
    AMB
    ≤
    25
    °C
    [1]
    [2]
    [1][3]
    -
    -
    -
    −65
    -
    −65
    储存温度
    结温
    环境温度
    T
    AMB
    ≤
    25
    °C
    [1]
    [2]
    [1][3]
    -
    -
    -
    300
    600
    300
    mW
    mW
    mW
    设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
    足迹。
    设备安装在一FR4印刷电路板65
    μm
    铜扁线，标准的足迹。
    再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
    PEMD3_PIMD3_PUMD3_10
    © NXP B.V. 2009保留所有权利。
    产品数据表
    启10 - 2009年11月15日
    3 11

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