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    PUMD3 参数 Datasheet PDF下载

    PUMD3图片预览
    型号： PUMD3
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    内容描述： NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 10 kΩ的， R2 = 10 kΩ的 [NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 308 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号PUMD3的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    PEMD3 ; PIMD3 ; PUMD3
    NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 10 kΩ的， R2 = 10 kΩ的
    10
    3
    h
    FE
    (1)
    (2)
    (3)
    006aaa034
    1
    006aaa035
    V
    CESAT
    (V)
    10
    2
    10
    −1
    (1)
    (2)
    (3)
    10
    1
    10
    −1
    1
    10
    I
    C
    （MA ）
    10
    2
    10
    −2
    1
    10
    I
    C
    （MA ）
    10
    2
    V
    CE
    = 5 V
    (1) T
    AMB
    = 150
    °C
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C
    (3) T
    AMB
    =
    −40 °C
    I
    C
    /I
    B
    = 20
    (1) T
    AMB
    = 100
    °C
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C
    (3) T
    AMB
    =
    −40 °C
    图1 。
    TR1 （NPN） ：直流电流增益的函数
    集电极电流;典型值
    10
    006aaa036
    图2 。
    TR1 （ NPN ） ：集电极 - 发射极电压为
    集电极电流的函数;典型值
    10
    006aaa037
    V
    我（上）
    (V)
    (1)
    (2)
    V
    我（关闭）
    (V)
    (1)
    1
    (3)
    1
    (2)
    (3)
    10
    −1
    10
    −1
    1
    10
    I
    C
    （MA ）
    10
    2
    10
    −1
    10
    −2
    10
    −1
    1
    I
    C
    （MA ）
    10
    V
    CE
    = 0.3 V
    (1) T
    AMB
    =
    −40 °C
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C
    (3) T
    AMB
    = 100
    °C
    V
    CE
    = 5 V
    (1) T
    AMB
    =
    −40 °C
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C
    (3) T
    AMB
    = 100
    °C
    图3 。
    TR1 （ NPN ） ：通态输入电压为
    集电极电流的函数;典型值
    图4 。
    TR1 （ NPN ） ：断态输入电压为
    集电极电流的函数;典型值
    PEMD3_PIMD3_PUMD3_10
    © NXP B.V. 2009保留所有权利。
    产品数据表
    启10 - 2009年11月15日
    5 11

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