PHN210T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PHN210T
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内容描述：	双N沟道增强模式 [Dual N-channel enhancement mode]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 91 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道增强模式

的TrenchMOS

晶体管

PHN210T

1E-01

亚阈值传导

源极 - 漏极二极管电流IF （ A）

VGS = 0 V

1E-02

民

典型值

最大

TJ = 25℃

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5

1E-03

150 C

1E-04

1E-05

1E-06

漏源电压， VSDS （V ）

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

图14 。典型的反向二极管电流。

= F（V

SDS

） ;条件： V

= 0 V ;参数T

非重复性雪崩电流， IAS （ A）

PHN210

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

1000

25 C

西塞

100

科斯

CRSS

VDS

TJ前雪崩= 125℃

0.1

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

0.1

1E-06

1E-05

1E-04

雪崩的时候， TP （S ）

1E-03

1E-02

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

图15 。最大允许非重复

雪崩电流（I

）与雪崩时间（t

);

非钳位感性负载

栅 - 源电压，V GS （V）的

ID = 2.3A

TJ = 25℃

VDD = 15 V

栅极电荷QG （ NC）

图13 。典型导通栅极电荷特性。

= F （Q

） ;参数V

1999年3月

启1.000

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