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    PHN210T 参数 Datasheet PDF下载

    PHN210T图片预览
    型号： PHN210T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强模式 [Dual N-channel enhancement mode]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 91 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号PHN210T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PHN210T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PHN210T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PHN210T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PHN210T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PHN210T的Datasheet PDF文件第7页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    双N沟道增强模式
    的TrenchMOS
    TM
    晶体管
    热阻
    符号参数
    R
    日J-一
    R
    日J-一
    热阻结
    到环境
    热阻结
    到环境
    条件
    表面安装， FR4板，T
    ≤
    10秒
    表面安装， FR4板
    典型值。
    -
    150
    PHN210T
    马克斯。
    62.5
    -
    单位
    K / W
    K / W
    雪崩能量极限值
    按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
    符号参数
    E
    AS
    I
    AS
    非重复性雪崩
    能量（每MOSFET ）
    非重复性雪崩
    电流（每个MOSFET ）
    条件
    非钳位感性负载时，我
    AS
    = 3.4 A;
    t
    p
    = 0.2毫秒;牛逼
    j
    雪崩= 25之前;
    V
    DD
    ≤
    15 V ; ř
    GS
    = 50
    Ω;
    V
    GS
    = 10 V
    分钟。
    -
    -
    马克斯。
    13
    3.4
    单位
    mJ
    A
    电气特性
    T
    j
    = 25 ，每个MOSFET除非另有说明
    符号参数
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TO ）
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    I
    D（上）
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    G（ TOT ）
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D ON
    t
    r
    t
    D OFF
    t
    f
    L
    d
    L
    s
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    漏源击穿
    电压
    栅极阈值电压
    漏极 - 源极导通状态
    阻力
    条件
    V
    GS
    = 0 V ;我
    D
    = 10
    µA;
    T
    j
    = -55˚C
    V
    DS
    = V
    GS
    ; I
    D
    = 1毫安
    T
    j
    = 150˚C
    T
    j
    = -55˚C
    V
    GS
    = 10 V ;我
    D
    = 2.2 A
    V
    GS
    = 4.5 V ;我
    D
    = 1 A
    V
    GS
    = 10 V ;我
    D
    = 2.2 ;牛逼
    j
    = 150˚C
    正向跨导
    V
    DS
    = 20V;我
    D
    = 2.2 A
    通态漏电流
    V
    GS
    = 10 V; V
    DS
    = 1 V;
    V
    GS
    = 4.5 V; V
    DS
    = 5 V
    零栅压漏
    V
    DS
    = 24 V; V
    GS
    = 0 V;
    当前
    V
    DS
    = 24 V; V
    GS
    = 0 V ;牛逼
    j
    = 150˚C
    门源漏电流V
    GS
    =
    ±20
    V; V
    DS
    = 0 V
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极（米勒）电荷
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反馈电容
    I
    D
    = 2.3 A; V
    DD
    = 15 V; V
    GS
    = 10 V
    分钟。
    30
    27
    1
    0.4
    -
    -
    -
    -
    2
    3.5
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。马克斯。单位
    -
    -
    2
    -
    80
    120
    -
    4.5
    -
    -
    10
    0.6
    10
    6
    0.7
    0.7
    6
    8
    21
    15
    2.5
    5
    250
    88
    54
    -
    -
    2.8
    -
    3.2
    100
    200
    170
    -
    -
    -
    100
    10
    100
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    V
    V
    V
    V
    mΩ
    mΩ
    mΩ
    S
    A
    A
    nA
    µA
    nA
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    nH
    nH
    pF
    pF
    pF
    V
    DD
    = 20V; ř
    D
    = 18
    Ω;
    V
    GS
    = 10 V ; ř
    G
    = 6
    Ω
    阻性负载
    从测得的漏导致的模具中心
    从源铅源测量
    焊盘
    V
    GS
    = 0 V; V
    DS
    = 20V; F = 1 MHz的
    1999年3月
    2
    启1.000

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