PHN210T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PHN210T
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内容描述：	双N沟道增强模式 [Dual N-channel enhancement mode]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 91 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道增强模式

的TrenchMOS

晶体管

特点

•双设备

•低阈值电压

•快速开关

•兼容逻辑电平

•表面贴装型封装

PHN210T

符号

d1 d1

d2 d2

快速参考数据

= 30 V

= 3.4 A

DS （ ON）

≤

100毫欧（V

= 10 V)

DS （ ON）

≤

200毫欧（V

= 4.5 V)

S2 G2

概述

双N沟道增强

在一个模式的场效应晶体管

塑料封套使用“地沟”

技术。

应用： -

•电机和继电器驱动器

•直流以直流转换器

•逻辑电平转换器

该PHN210T在所提供的

SOT96-1 （ SO8 ）表面贴装

封装。

钉扎

针

5,6

7,8

描述

源1

门1

源2

门2

排水2

排水1

SOT96-1

PIN 1 INDEX

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

DGR

合计

英镑

, T

参数

重复峰值漏极 - 源极

电压

连续漏极 - 源极电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏极电流MOSFET每

漏极电流每个MOSFET （包括

MOSFET的导通）

漏极电流每个MOSFET （脉冲

峰值）

总功耗（一方或

两个MOSFET导通）

存储&工作温度

条件

= 25 °C至150°C

= 20 kΩ

= 25 ˚C

= 70 ˚C

= 25 ˚C

= 70 ˚C

= 25 ˚C

= 70 ˚C

分钟。

- 65

马克斯。

3.4

2.8

2.4

1.9

1.3

150

单位

˚C

表面安装在FR4板，T

≤

10秒

1999年3月

启1.000

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