恩智浦半导体
BC639 ; BCP56 ; BCX56
80 V ,1 A NPN型中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
BC639
BCP56
BCX56
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
100
80
5
1
1.5
0.2
单位
V
V
V
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
−65
−65
0.83
0.64
0.96
0.5
0.85
1.25
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫集热6厘米
2
.
BC639_BCP56_BCX56_8
© NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2007年6月22日
4 15