NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856; BC857; BC858
handbook, halfpage
500
MGT711
hFE
400
(1)
−1200
handbook, halfpage
VBE
(mV)
−1000
(1)
MGT712
−800
(2)
300
−600
200
(2)
−400
100
(3)
(3)
−200
0
−10
−2
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
I C (mA)
0
−10
−2
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
I C (mA)
BC857A;
V
CE
=
−5
V.
(1) T
amb
= 150
°C.
(2) T
amb
= 25
°C.
(3) T
amb
=
−55 °C.
BC857A;
V
CE
=
−5
V.
(1) T
amb
=
−55 °C.
(2) T
amb
= 25
°C.
(3) T
amb
= 150
°C.
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
−10
4
handbook, halfpage
VCEsat
(mV)
−10
3
MGT713
handbook, halfpage
−1200
VBEsat
(mV)
−1000
−800
−600
MGT714
(1)
(2)
(3)
−10
2
(1)
−400
−200
(3) (2)
−10
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
I C (mA)
0
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
I C (mA)
BC857A;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°C.
(2) T
amb
= 25
°C.
(3) T
amb
=
−55 °C.
BC857A;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
=
−55 °C.
(2) T
amb
= 25
°C.
(3) T
amb
= 150
°C.
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
2004 Jan 16
5
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
