NXP Semiconductors
BAS16 series
High-speed switching diodes
5. Limiting values
Table 6.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Per diode
V
RRM
V
R
I
F
repetitive peak reverse
voltage
reverse voltage
forward current
BAS16
BAS16H
BAS16L
BAS16T
BAS16VV
BAS16VY
BAS16W
BAS16J
BAS316
BAS516
I
FRM
I
FSM
repetitive peak forward
current
non-repetitive peak forward
current
t
p
≤
0.5
µs;
δ ≤
0.25
square wave
t
p
= 1
µs
t
p
= 1 ms
t
p
= 1 s
P
tot
total power dissipation
BAS16
BAS16H
T
amb
≤
25
°C
T
amb
≤
25
°C
Parameter
Conditions
Min
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
100
100
215
215
155
200
175
250
Unit
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
-
500
mA
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
1
0.5
250
380
830
550
250
170
180
250
200
400
500
A
A
A
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
BAS16J
BAS16L
BAS16T
BAS16VV
BAS16VY
BAS16W
BAS316
BAS516
T
amb
≤
25
°C
T
amb
≤
25
°C
T
sp
≤
90
°C
T
amb
≤
25
°C
T
sp
≤
85
°C
T
amb
≤
25
°C
T
sp
≤
90
°C
T
sp
≤
90
°C
BAS16_SER_5
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 25 August 2008
4 of 20
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
