NXP Semiconductors
BAS16 series
High-speed switching diodes
10
3
I
F
(mA)
10
2
006aab132
10
2
I
FSM
(A)
10
mbg704
10
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
10
−1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
F
(V)
10
−1
1
10
10
2
10
3
t
p
(µs)
10
4
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 85
°C
(3) T
amb
= 25
°C
(4) T
amb
=
−40 °C
Based on square wave currents.
T
j
= 25
°C;
prior to surge
Fig 1.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values
006aab133
(1)
Fig 2.
Non-repetitive peak forward current as a
function of pulse duration; maximum values
mbg446
10
2
I
R
(µA)
10
1
10
−1
10
−2
10
−3
10
−4
10
−5
0
20
40
60
(3)
0.8
C
d
(pF)
0.6
(2)
0.4
0.2
(4)
0
80
V
R
(V)
100
0
4
8
12
V
R
(V)
16
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 85
°C
(3) T
amb
= 25
°C
(4) T
amb
=
−40 °C
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C
Fig 3.
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 4.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
BAS16_SER_5
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 25 August 2008
7 of 20
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
