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AFV10700HS 参数 Datasheet PDF下载

AFV10700HS图片预览
型号: AFV10700HS
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内容描述: [RF Power LDMOS Transistors]
分类和应用:
文件页数/大小: 19 页 / 709 K
品牌: NXP [ NXP ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS – 1030–1090 MHz  
REFERENCE CIRCUIT  
21  
70  
60  
1090 MHz  
1090 MHz  
1030 MHz  
20  
19  
18  
17  
G
ps  
D
50  
40  
30  
20  
1030 MHz  
16  
15  
V
= 50 Vdc, I  
= 100 mA  
DD  
DQ(A+B)  
Pulse Width = 128 sec, Duty Cycle = 10%  
10  
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000  
P
, OUTPUT POWER (WATTS) PEAK  
out  
Figure 6. Power Gain and Drain Efficiency versus  
Output Power – 50 V  
70  
21  
1090 MHz  
1030 MHz  
1090 MHz  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
20  
19  
G
ps  
D
1030 MHz  
18  
17  
16  
15  
V
= 52 Vdc, I  
= 100 mA  
DD  
DQ(A+B)  
Pulse Width = 128 sec, Duty Cycle = 10%  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
P
, OUTPUT POWER (WATTS) PEAK  
out  
Figure 7. Power Gain and Drain Efficiency versus  
Output Power – 52 V  
AFV10700H AFV10700HS AFV10700GS  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
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