Philips Semiconductors
Product specification
2-input AND gate
DC CHARACTERISTICS
74AHC1G08; 74AHCT1G08
Family 74AHC1G
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
TEST CONDITIONS
SYMBOL
PARAMETER
OTHER
V
IH
HIGH-level input
voltage
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
LOW-level input
voltage
2.0
3.0
5.5
V
OH
HIGH-level output V
I
= V
IH
or V
IL
;
voltage
I
O
=
−50 µA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
=
−50 µA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
=
−50 µA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
=
−4.0
mA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
=
−8.0
mA
V
OL
LOW-level output
voltage
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
= 50
µA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
= 50
µA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
= 50
µA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
= 4.0 mA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
= 8.0 mA
I
LI
I
CC
C
I
input leakage
current
quiescent supply
current
input capacitance
V
I
= V
CC
or GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
25
MIN.
1.5
2.1
3.85
−
−
−
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
−
−
−
−
−
−
−
−
TYP.
−
−
−
−
−
−
2.0
3.0
4.5
−
−
0
0
0
−
−
−
−
1.5
MAX.
−
−
−
0.5
0.9
1.65
−
−
−
−
−
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
10
T
amb
(°C)
−40
to +85
MIN.
1.5
2.1
3.85
−
−
−
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
−
−
−
−
−
−
−
−
MAX.
−
−
−
0.5
0.9
1.65
−
−
−
−
−
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
10
10
−40
to +125
MIN.
1.5
2.1
3.85
−
−
−
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
−
−
−
−
−
−
−
−
MAX.
−
−
−
0.5
0.9
1.65
−
−
−
−
−
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
µA
µA
pF
UNIT
V
I
= V
CC
or GND; 5.5
I
O
= 0
2002 Jun 06
5
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
