NXP Semiconductors
Product data sheet
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
MGU517
1PS79SB31
handbook, halfpage
10
3
handbook, halfpage
10
4
MGU518
IF
(mA)
IR
(μA)
(1)
10
3
(2)
10
2
10
2
(1)
(2)
(3)
10
(3)
10
1
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
VF (V)
1
10
−1
0
10
20
VR (V)
30
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
handbook, halfpage
40
MGU519
Cd
(pF)
30
20
10
0
0
10
20
VR (V)
30
(1) f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C.
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2002 Jan 11
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
