Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
MLE116
1PS10SB63
10
2
handbook, halfpage
IF
(mA)
10
10
3
handbook, halfpage
IR
(µA)
10
2
(1)
MLE117
(2)
1
(1)
10
10
−1
(2) (3)
1
(3)
10
−2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
VF (V)
1
10
−1
1
2
3
4
VR (V)
5
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
handbook, halfpage
0.36
Cd
MLE118
(pF)
0.32
0.28
0.24
0
1
2
3
4
VR (V)
5
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C.
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2003 Aug 20
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
