说明
M25P80
6.5
写状态寄存器（ WRSR ）
写状态寄存器（ WRSR）指令允许新的值写入到状态
注册。才可以被接受，一个写使能（ WREN）指令必须预先
已执行。之后，写使能（ WREN）指令已被解码和
执行时，该设备将写使能锁存器（ WEL ） 。
写状态寄存器（ WRSR ）指令是由驱动芯片选择（S ）低输入，
其次是指令代码和串行数据输入（ D）的数据字节。
该指令序列示于
写状态寄存器（ WRSR ）指令对B6 ， B5 ，B1和的B0无影响
状态寄存器。 B6和B5总是读为0 。
芯片选择（ S）必须驱动高之后的数据字节的第八位被锁存英寸
如果不是，不执行写入状态寄存器（ WRSR）指令。当片选
（S ）为高，自定时写状态寄存器周期（其持续时间为t
W
）是
发起。虽然写状态寄存器周期正在进行中，状态寄存器仍可能
读来检查写在制品（WIP ）位的值。写在制品（WIP ）
位为1时的自定时写状态寄存器周期，并且是0时，它被完成。
当循环完成后，写使能锁存器（ WEL ）复位。
写状态寄存器（ WRSR ）指令允许用户改变的值
块保护（ BP2 ，BP1，BP0 ）位，以确定要被视为该区域的大小
只读，如在限定
写状态寄存器（ WRSR ）指令也允许
用户设置或重置状态寄存器写禁止（ SRWD ）位按照
写保护（ W）信号。状态寄存器写禁止（ SRWD ）位和写保护
（W）的信号允许该设备被放置在硬件保护模式（HPM ） 。写
状态寄存器（ WRSR ）指令不被执行，一旦硬件保护模式
（ HPM ）输入。
图11.写状态寄存器（ WRSR ）指令序列
S
0
C
指令
状态
在注册
7
高阻抗
Q
AI02282D
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
D
6
5
4
3
2
1
0
最高位
24/52
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
