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    M25P80-VMW6TG 参数 Datasheet PDF下载

    M25P80-VMW6TG图片预览
    型号： M25P80-VMW6TG
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    内容描述： 8兆位，低电压，串行闪存与75 MHz的SPI总线接口 [8 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
    文件页数/大小： 52 页 / 995 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M25P80-VMW6TG的Datasheet PDF文件第16页浏览型号M25P80-VMW6TG的Datasheet PDF文件第17页浏览型号M25P80-VMW6TG的Datasheet PDF文件第18页浏览型号M25P80-VMW6TG的Datasheet PDF文件第19页浏览型号M25P80-VMW6TG的Datasheet PDF文件第21页浏览型号M25P80-VMW6TG的Datasheet PDF文件第22页浏览型号M25P80-VMW6TG的Datasheet PDF文件第23页浏览型号M25P80-VMW6TG的Datasheet PDF文件第24页  
    说明
    图7 。
    写使能（ WREN ）指令序列
    S
    0
    C
    指令
    D
    高阻抗
    Q
    AI02281E
    M25P80
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    6.2
    写禁止（ WRDI ）
    写禁止（ WRDI ）指令（图
    8)
    复位写使能锁存器（ WEL ）位。
    写禁止（ WRDI ）指令是由驱动芯片选择（S ）低，送进入
    指令代码，然后驱动芯片选择（S ）高。
    写使能锁存器（ WEL ）位在下列条件下复位：
    ●
    ●
    ●
    ●
    ●
    ●
    上电
    写禁止（ WRDI ）指令完成
    写状态寄存器（ WRSR ）指令完成
    页编程（ PP ）指令完成
    扇区擦除（ SE ）指令完成
    批量擦除（ BE ）指令完成
    写禁止（ WRDI ）指令序列
    S
    0
    C
    指令
    D
    高阻抗
    Q
    AI03750D
    网络连接gure 8 。
    1
    2
    3
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