LP2995
绝对最大额定值
焊接温度（焊接， 10秒）
ESD额定值（注7 ）
260˚C
1kV
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
PVIN ， AVIN ， VDDQ到GND
储存温度。范围
结温
SO- 8热阻（ θ
JA
)
LLP- 16热阻（ θ
JA
)
-0.3V至+ 6V
-65 ° C至+ 150°C
150˚C
151˚C/W
51˚C/W
工作范围
结温。范围（注5）
AVIN至GND
PVIN至GND
0 ° C至+ 125°C
2.2V至5.5V
2.2V至AVIN
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
粗体
TYPE
适用于整个
工作温度范围
(T
J
= 0°C至+ 125°C ） 。除非另外指明，
AVIN = PVIN = 2.5V ， VDDQ = 2.5V （注6 ） 。
符号
V
REF
VOS
VTT
∆V
TT
/V
TT
Z
VREF
Z
VDDQ
I
q
参数
V
REF
电压
V
TT
输出电压偏移
负载调整率
V
REF
输出阻抗
VDDQ输入阻抗
静态电流
I
OUT
= 0A
条件
I
REF_OUT
= 0毫安
I
OUT
= 0A
I
OUT
= 0〜 1.5A
I
OUT
= 0〜 -1.5A
I
REF
= -5μA至+ 5μA
民
1.21
−15
−20
典型值
1.235
0
0.5
−0.5
5
100
250
400
kΩ
kΩ
µA
最大
1.26
15
20
单位
V
mV
%
电气特性
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作范围是指在该设备条件
拟功能，但并不保证特定性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的操作
测试条件。
注2 ：
V
TT
是电压测量定义为V偏移
TT
从V减去
REF
.
注3 ：
负载调整率是通过使用10ms的电流脉冲，并测量V测试
TT
.
注4 ：
定义为电流流进AVIN静态电流。
注5 ：
在升高的温度下，设备必须基于热电阻降额。在SO- 8封装的器件必须在被降级
θ
JA
= 151˚ C / W
结点到环境没有散热片。在LLP- 16的设备必须在被降级
θ
JA
= 51˚ C / W结到环境。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
3
www.national.com
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
