LF412
AC电气特性
符号
THD
参数
总谐波DIST
（续）
LF412A
民
典型值
≤0.02
最大
民
LF412
典型值
≤0.02
最大
%
单位
条件
A
V
=+10, R
L
=10k,
V
O
= 20 Vp-p的，
BW = 20 Hz至20 kHz的
T
A
= 25 ° C，R
S
=100Ω,
F = 1千赫
T
A
= 25 ° C，F = 1千赫
e
n
i
n
等效输入噪声
电压
等效输入噪声
当前
25
0.01
25
0.01
注3 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注4 ：
任何放大器输出可与地短接indefintely ，然而，多于一个不应同时短路的最大结
温度会超过。
注5 ：
对于在升高的温度下操作，这些设备必须基于一个热电阻降额
θ
jA
.
注6 ：
这些设备在商业温度范围内提供0˚C≤T
A
≤70˚C
和军用温度范围-55˚C≤T
A
≤125˚C.
该
温度范围由位置正好在设备号的包类型之前指定。 “C ”代表商业级温度范围和“M”
指示军用温度范围。军用温度范围为“H ”只封装。在所有情况下的最高工作温度限制
通过内部结温度T
j
马克斯。
注7 ：
除另有规定外，该规范适用于在整个温度范围和V
S
=
±
20V的LF412A和V
S
=
±
15V的LF412 。 V
OS
,
I
B
和我
OS
在V测量
CM
=0.
注8 ：
该LF412A是经过100％测试，以本规范。该LF412是样品测试在每个放大器的基础，以确保放大器的至少85％满足这一
特定连接的阳离子。
注9 ：
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T
j
。由于有限的
生产测试时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到周围以上
温度的内部功耗，P结果
D
. T
j
=T
A
+θ
jA
P
D
哪里
θ
jA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的是
建议如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注10 ：
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法同时减小。 V
S
=
±
6V至
±
15V.
注11 ：
请参阅RETS412X的LF412MH和LF412MJ军用规格。
注12 ：
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分操作
外担保的限制。
注13 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
典型性能特性
输入偏置电流
输入偏置电流
00565610
00565611
www.national.com
4
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
