LF412
绝对最大额定值
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
LF412A
电源电压
差分输入电压
输入电压范围
输出短路
持续时间（注4 ）
连续
H封装
功耗
连续
N包装
LF412
T
j
最大
θ
jA
（典型值）
工作温度。范围
储存温度。
范围
铅温度。
（焊接， 10秒）
H封装
150˚C
152˚C/W
N包装
670毫瓦
115˚C
115˚C/W
−65˚C≤T
A
≤150˚C
−65˚C≤T
A
≤150˚C
±
22V
±
38V
±
19V
±
18V
±
30V
±
15V
260˚C
1700V
260˚C
1700V
ESD容差
DC电气特性
符号
V
OS
∆V
OS
/∆T
I
OS
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
输入失调电流
V
S
=
±
15V
（注7,9）
I
B
输入偏置电流
V
S
=
±
15V
（注7,9）
R
IN
A
VOL
输入阻抗
大信号电压
收益
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
I
S
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
电源电流
V
O
= 0V ，R
L
=
∞
3.6
5.6
3.6
6.5
mA
80
100
70
100
dB
R
S
≤10k
80
T
j
=25˚C
V
S
=
±
15V, V
O
=
±
10V,
R
L
= 2K ，T
A
=25˚C
过温
V
S
=
±
15V ，R
L
=10k
25
200
15
200
V / MV
V
V
V
dB
50
T
j
=25˚C
T
j
=70˚C
T
j
=125˚C
T
j
=25˚C
T
j
=70˚C
T
j
=125˚C
10
12
条件
民
R
S
= 10 kΩ的，T
A
=25˚C
R
S
= 10 kΩ的（注8 ）
LF412A
典型值
0.5
7
25
最大
1.0
10
100
2
25
50
200
4
50
民
LF412
典型值
1.0
7
25
最大
3.0
20
100
2
25
50
200
4
50
10
25
12
单位
mV
μV/°C
pA
nA
nA
pA
nA
nA
Ω
V / MV
200
200
±
12
±
16
±
13.5
+19.5
−16.5
100
±
12
±
11
70
±
13.5
+14.5
−11.5
100
注2 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
AC电气特性
符号
参数
放大器放大器
耦合
SR
GBW
压摆率
增益带宽积
条件
民
T
A
= 25 ° C，F = 1 Hz至20 kHz的
（输入参考）
V
S
=
±
15V ，T
A
=25˚C
V
S
=
±
15V ，T
A
=25˚C
10
3
15
4
8
2.7
15
4
V / μs的
兆赫
LF412A
典型值
−120
最大
民
LF412
典型值
−120
最大
dB
单位
3
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
