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N64T1618C1BZ-70I 参数 Datasheet PDF下载

N64T1618C1BZ-70I图片预览
型号: N64T1618C1BZ-70I
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内容描述: [DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 18 页 / 348 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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N64T1618C1B  
NanoAmp Solutions, Inc.  
Advance Information  
Table 6: Timing Test Conditions  
Item  
Input Pulse Level  
VSS to VCCQ  
Input Rise and Fall Time (10% to 90%)  
Input Timing Reference Levels  
1.6ns  
0.5 VCCQ  
Output Timing Reference Levels  
Operating Temperature  
0.5 VCCQ  
-25 oC to +85 oC  
Figure 2: Output Load Circuit  
V
CCQ  
R1  
I/O  
30 pF  
R2  
Output Load  
Table 7: Output Load  
VCCQ  
R1/R2  
1.8V  
2.5V  
3.0V  
2.7K  
3.7KΩ  
4.5KΩ  
Stock No. 23403- Rev A 01/05  
4
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.