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    N32T1630C1CZ-70I 参数 Datasheet PDF下载

    N32T1630C1CZ-70I图片预览
    型号： N32T1630C1CZ-70I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32MB超低功耗CMOS异步SRAM伪 [32Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS Pseudo SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 15 页 / 336 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第9页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第10页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第11页  
    N32T1630C1C  
    NanoAmp Solutions, Inc.  
    Timing Waveform of Page Mode Read Cycle (WE = V )  
    IH  
    t
    PGMAX  
    Page Address (A4 - A20)  
    Word Address (A0 - A3)  
    t
    RC  
    t
    PC  
    t
    AA  
    t
    PA  
    t
    HZ  
    CE  
    t
    CO  
    t
    t
    OHZ  
    OE  
    OE  
    t
    OLZ  
    t
    t
    LBHZ, UBHZ  
    LB, UB  
    t
    t
    LB, UB  
    t
    t
    LBLZ, UBLZ  
    High-Z  
    Data Out  
    t
    PGMAX means any page address (A4-A20) must be changed at least once in a 20us period  
    (DOC# 14-02-005 Rev C ECN 01-0918)  
    The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
    7

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