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    N32T1630C1CZ-70I 参数 Datasheet PDF下载

    N32T1630C1CZ-70I图片预览
    型号： N32T1630C1CZ-70I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32MB超低功耗CMOS异步SRAM伪 [32Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS Pseudo SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 15 页 / 336 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N32T1630C1CZ-70I的Datasheet PDF文件第9页  
    N32T1630C1C  
    NanoAmp Solutions, Inc.  
    Power Up Initialization Timing  
    2.7V  
    Device Ready for  
    Normal Operation  
    Device Initialization  
    VCC  
    100µs  
    VCCQ  
    The device will require 100 µs to complete its self-initialization process. During the initialization period, CE#  
    pin should remain HIGH.  
    FIGURE 1: Output Load Circuit  
    V
    CCQ  
    14.5K  
    30 pF  
    I/O  
    14.5K  
    (DOC# 14-02-005 Rev C ECN 01-0918)  
    The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
    4

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