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N08T1630C2BT2-70 参数 Datasheet PDF下载

N08T1630C2BT2-70图片预览
型号: N08T1630C2BT2-70
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内容描述: 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 [8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 254 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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NanoAmp Solutions, Inc.  
N08T1630CxB  
Timing Waveform of Write Cycle (WE control)  
t
WC  
Address  
t
WR  
t
AW  
CE1  
CE2  
t
CW  
t
BW  
LB, UB  
WE  
t
t
AS  
WP  
t
t
DH  
DW  
High-Z  
Data Valid  
Data In  
t
WHZ  
t
OW  
High-Z  
Data Out  
Timing Waveform of Write Cycle (CE1 Control)  
t
WC  
Address  
t
t
AW  
WR  
t
CE1  
CW  
(for CE2 Control, use  
inverted signal)  
t
AS  
t
BW  
LB, UB  
WE  
t
t
WP  
t
t
DH  
DW  
Data Valid  
Data In  
t
LZ  
WHZ  
High-Z  
Data Out  
(DOC# 14-02-004 REV H ECN# 01-1102)  
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
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