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    MPSIG001 参数 Datasheet PDF下载

    MPSIG001图片预览
    型号： MPSIG001
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低OperatingVoltage ，高fT的硅锗晶体管微波 [Low OperatingVoltage, High fT SiGe Microwave Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管微波
    文件页数/大小： 4 页 / 252 K
    品牌： MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
     浏览型号MPSIG001的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MPSIG001的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPSIG001的Datasheet PDF文件第3页  
    低工作电压，高F
    T
    硅锗晶体管
    MPSIG001-535
    典型性能曲线
    MPSIG001系列
    功率降额曲线
    标称增益VS集电极电流为
    V
    CE
    = 2伏特， F = 0.9千兆赫（ MPSIG001-535 ）
    350
    电源DIS 。 （Mw）为
    22
    300
    250
    200
    150
    100
    50
    0
    0
    50
    MPSIG001-535
    增益（dB ）
    20
    GU （最大值）
    18
    S21
    16
    100
    ANBIENT TEMP 。
    150
    200
    14
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    集电极电流
    标称增益VS集电极电流为
    V
    CE
    = 2伏特， F = 2千兆赫（ MPSIG001-535 ）
    13
    12
    增益（dB ）
    嘎（最大值）
    GU （最大值）
    11
    10
    9
    8
    1
    6
    11
    16
    集电极电流
    S21
    规格如有变更，恕不另行通知
    M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
    576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
    4
    电话：（ 408 ） 432-1480
    传真：（ 408 ） ） 432-3440

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