低工作电压，高F
T
硅锗晶体管
最大额定值（Ta = 25_C ）
MPSIG001系列
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结工作温度
储存温度
芯片或陶瓷封装
功耗
微-X PKG （ MPSIG001-535 ）
300毫瓦
150°C
V
CBO
V
CE
V
EB
I
C
T
j
T
S
10 V
3V
1.5 V
75毫安
200°C
-65 ° C到+ 200℃
MPSIG001系列
电气规格@ 25°C
MPSIG001系列
MPSIG00100
测试参数
增益带宽积
插入功率增益
条件
V
CE
= 2 V
I
C
= 20毫安
V
CE
= 2 V
I
C
= 5毫安
F = 0.9 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V
I
C
= 5毫安
F = 0.9 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V
I
C
= 5毫安
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V
I
C
= 5毫安
F = 0.9 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V
I
C
= 20毫安
F = 0.9 GHz的
符号
f
T
|S
21E
|
2
单位
GHz的
dB
典型值17
典型值11
NF
dB
0.9 （典型值）
1.1 （典型值）
GTU （MAX）中
dB
典型值13
MAG
dB
典型值19
12 TYP
P
1dB
DBM
典型值15
典型值14
典型值18
典型值11
12 TYP
0.9 （典型值）
1.1 （典型值）
16分钟
10.0 MIN
芯片
典型值18
MPSIG001-535
微-X
典型值18
噪声系数
单向增益
最大可用增益
1 dB输出功率
压缩
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
2
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
