低工作电压，高fT的硅锗晶体管微波
电气规格@ 25°C
参数
集电极截止电流
集电极到发射极
Beakdown电压
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
集电极衬底
击穿电压
正向电流增益
基极发射极电压
条件
V
CB
- 2伏
I
E
= 0
µA
IC = 10微安
I
C
= 10微安
I
E
= 10微安
I
R
= 10微安
V
CE
= 3伏
I
C
= 5毫安
V
CC
= 10微安
符号
I
CBO
BVCEO
BVCBO
BVEBO
BVSO
h
FE
VBE
民
⎯
2.5
7
3
30
20
700
典型
⎯
⎯
⎯
⎯
45
100
⎯
MPSIG001系列
最大
100
⎯
⎯
⎯
⎯
300
800
单位
µA
V
V
V
V
⎯
mV
典型的共发射极散射参数在微-X包
MPSIG001-535 ，V
CE
= 2伏特，我
C
= 5毫安
频率
（兆赫）
100
200
300
400
500
1000
1500
2000
2500
3000
S11E
MAG 。
.843
.792
.730
.671
.622
.455
.400
.341
.355
.366
角
-17.6
-34.2
-49.3
-62.5
-73.4
-108.9
-132.9
-148.7
-167.8
-179.4
MAG 。
15.1
14.0
12.7
11.4
10.2
6.1
4.2
3.3
2.8
2.4
S21E
角
165.5
152.9
142.5
133.8
127.1
108.4
97.6
92.9
89.7
91.1
MAG 。
0.021
0.039
0.056
0.065
0.072
0.094
0.108
0.123
0.142
0.160
S12E
角
78.2
69.1
62.7
57.4
53.7
50.4
53.9
59.3
64.8
71.4
MAG
0.962
0.892
0.805
0.716
0.639
0.377
0.280
0.208
0.208
0.204
S22E
角
-15.4
-29.7
-41.7
-51.8
-59.9
-87.5
-110.0
-125.8
-147.2
-166.8
MPSIG001-535 ，V
CE
= 2伏特，我
C
= 10毫安
频率
（兆赫）
100
200
300
400
500
1000
1500
2000
2500
3000
S11E
MAG 。
.708
.629
.562
.498
.461
.343
.337
.297
.352
.373
角
-27.1
-51.2
-70.9
-86.2
-98.1
-133.4
-155.1
-171.5
173.6
162.8
MAG 。
24.5
21.8
18.4
15.6
13.4
7.5
5.1
3.9
3.3
2.9
S21E
角
159.8
143.8
132.1
123.5
117.3
102.3
93.8
90.4
88.7
90.9
MAG 。
0.021
0.034
0.044
0.052
0.057
0.079
0.102
0.128
0.157
0.178
S12E
角
73.8
65.2
59.1
56.4
55.6
60.4
65.6
70.4
73.6
78.1
MAG
0.925
0.801
0.681
0577
0.498
0.280
0.229
0.168
0.214
0.235
S22E
角
-22.7
-42.1
-56.7
-68.3
-76.9
-108.7
-134.4
-171.8
171.9
135.9
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
3
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
