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    V58C365164S 参数 Datasheet PDF下载

    V58C365164S图片预览
    型号： V58C365164S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64兆位的DDR SDRAM 4M ×16 ， 3.3VOLT [64 Mbit DDR SDRAM 4M X 16, 3.3VOLT]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 44 页 / 514 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V58C365164S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V58C365164S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V58C365164S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V58C365164S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V58C365164S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V58C365164S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V58C365164S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V58C365164S的Datasheet PDF文件第9页  
    V58C365164S
    CILETIV LESO M
    V
    茂矽
    制成的
    58
    C
    3
    6516
    4
    S
    A
    牛逼XX
    速度
    36 （ 275MHZ @ CL3 ）
    4 （ 250MHZ @ CL3 ）
    5 （ 200MHZ @ CL3 ）
    部件
    包装， T = TSOP
    DDRSDRAM
    CMOS
    3.3V VDD
    2.5V VDDQ
    4MX16 ， 4K刷新
    4银行
    SSTL
    部件
    转级
    66引脚塑料TSOP -II
    引脚配置
    顶视图
    V
    DD
    DQ
    0
    V
    DDQ
    DQ
    1
    DQ
    2
    V
    SSQ
    DQ
    3
    DQ
    4
    V
    DDQ
    DQ
    5
    DQ
    6
    V
    SSQ
    DQ
    7
    NC
    V
    DDQ
    LDQS
    NC
    V
    DD
    NC
    LDM
    WE
    CAS
    RAS
    CS
    NC
    BA0
    BA1
    A10/AP
    A0
    A1
    A2
    A3
    V
    DD
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    14
    15
    16
    17
    18
    19
    20
    21
    22
    23
    24
    25
    26
    27
    28
    29
    30
    31
    32
    33
    66
    65
    64
    63
    62
    61
    60
    59
    58
    57
    56
    55
    54
    53
    52
    51
    50
    49
    48
    47
    46
    45
    44
    43
    42
    41
    40
    39
    38
    37
    36
    35
    34
    V
    SS
    DQ
    15
    V
    SSQ
    DQ
    14
    DQ
    13
    V
    DDQ
    DQ
    12
    DQ
    11
    V
    SSQ
    DQ
    10
    DQ
    9
    V
    DDQ
    DQ
    8
    NC
    V
    SSQ
    UDQS
    NC
    V
    REF
    V
    SS
    UDM
    CLK
    CLK
    CKE
    NC
    NC
    A11
    A9
    A8
    A7
    A6
    A5
    A4
    V
    SS
    引脚名称
    CLK ， CLK
    CKE
    CS
    RAS
    CAS
    WE
    UDQS ， LDQS
    A
    0
    –A
    11
    BA0 ， BA1
    DQ
    0
    -DQ
    15
    UDM ， LDM
    V
    DD
    V
    SS
    V
    DDQ
    V
    SSQ
    NC
    V
    REF
    差分时钟输入
    时钟使能
    芯片选择
    行地址选通
    列地址选通
    写使能
    数据选通（双向）
    地址输入
    BANK SELECT
    数据输入/输出
    数据屏蔽
    电源（ + 3.3V ）
    地
    电源的I / O （ + 2.5V ）
    地面的I / O
    没有连接
    参考电压输入
    64M
    DDR SDRAM
    V58C365164S修订版1.7 2002年3月
    2

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