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V55C2128164VB 参数 Datasheet PDF下载

V55C2128164VB图片预览
型号: V55C2128164VB
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内容描述: 的128Mbit低功耗SDRAM 2.5伏, TSOP II / BGA封装8M ×16 [128Mbit LOW-POWER SDRAM 2.5 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE 8M X 16]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 44 页 / 581 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V55C2128164V(T/B)
CILETIV LESOM
操作定义
所有的SDRAM的操作是由控制信号的状态的CS ,RAS, CAS,WE和DQM的定义
在时钟的正边缘。下面的列表显示了thruth表的操作命令。
手术
行激活
读W / Autoprecharge
与Autoprecharge写
行预充电
全部预充电
模式寄存器设置
无操作
设备取消
自动刷新
自刷新进入
自刷新退出
设备
状态
空闲
3
活跃
3
活跃
3
活跃
3
活跃
3
任何
任何
空闲
任何
任何
空闲
空闲
空闲
(自REFR )。
空闲
活跃
4
任何
(电源
下)
活跃
活跃
空闲
深电源 -
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
CKE
n
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
CS
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
H
RAS
L
H
H
H
H
L
L
L
H
X
L
L
X
H
X
H
X
H
X
X
H
X
CAS
H
L
L
L
L
H
H
L
H
X
L
L
X
H
X
H
X
H
X
X
H
X
WE
H
H
H
L
L
L
L
L
H
X
H
H
X
X
X
X
X
L
X
X
L
X
DQM
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A0-9,
A11
V
V
V
V
V
X
X
V
X
X
X
X
A10
V
L
H
L
H
L
H
V
X
X
X
X
BS0
BS1
V
V
V
V
V
V
X
V
X
X
X
X
L
H
L
H
X
X
X
X
断电进入
H
L
L
H
X
X
X
X
掉电退出
L
H
L
X
X
L
X
X
X
X
X
数据写入/输出使能
数据写入/输出禁止
深Pwoer向下进入
深Pwoer下退出
H
H
H
L
X
X
L
H
L
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
注意事项:
1, V =有效,X =无关, L =低电平,H =高电平
2. CKEN信号提供命令时,输入电平, CKEN - 1信号输入电平的命令之前,一个时钟
提供。
3.这是由银行指定的BS0 , BS1的信号状态。
4.省电模式不能在突发周期项。
5.在深度掉电模式退出存储装置的一个完整的新的初始化是强制性的
V55C2128164V (T / B ) 1.2修订版2002年8月
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