V55C2128164V(T/B)
CILETIV LESOM
突发长度和序列：
突发起始地址
长
(A2 A1 A0)
2
4
xx0
xx1
x00
x01
x10
x11
000
001
010
011
100
101
110
111
nnn
0
1
2
3
4
5
6
7
1
2
3
4
5
6
7
0
2
3
4
5
6
7
0
1
0,
1,
2,
3,
顺序突发寻址
（十进制）
0, 1
1, 0
1,
2,
3,
0,
3
4
5
6
7
0
1
2
2,
3,
0,
1,
4
5
6
7
0
1
2
3
3
0
1
2
5
6
7
0
1
2
3
4
6
7
0
1
2
3
4
5
7
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
1
0
3
2
5
4
7
6
2
3
0
1
6
7
4
5
0,
1,
2,
3,
交错突发寻址
（十进制）
0, 1
1, 0
1,
0,
3,
2,
3
2
1
0
7
6
5
4
2,
3,
0,
1,
4
5
6
7
0
1
2
3
3
2
1
0
5
4
7
6
1
0
3
2
6
7
4
5
2
3
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
8
整页
CN ，CN + 1 ，道道通+ 2
不支持
刷新模式
SDRAM有两种刷新模式，自动刷新
和自刷新。自动刷新类似于CAS
-before - RAS刷新传统的DRAM 。所有
银行必须在应用任何重新前预充电
新鲜的模式。芯片上的地址计数器递增
这个词和银行地址，没有银行Infor公司
息时都需要刷新模式。
芯片进入自动刷新模式中，当
RAS和CAS保持低电平和CKE ，我们是
高举在时钟定时。该模式恢复字
刷新，且无需外部预充电线后
命令是必要的。最小tRC的时间重新
在一阵两个自动刷新之间quired
刷新模式。同样的规则也适用于任何访问
自动刷新操作后命令。
该芯片具有一个片上定时器和重新自我
新鲜的模式可用。进入该模式时，
RAS，CAS和CKE是低电平和WE为高电平，在一个
时钟定时。所有的外部控制信号包括
时钟被禁止。回到CKE高恩
禁止进入的时钟和启动刷新退出操作
化。退出命令，至少1吨后
RC
延迟
之前的任何访问命令是必需的。
数据屏蔽功能的写操作。当DQM是
数据屏蔽功能的写操作。当DQM被激
氧基团，在下一时钟的写操作是prohib-
资讯科技教育（ DQM写屏蔽延迟吨
DQW
=零时钟） 。
掉电
为了减少待机电力消耗，一
掉电模式下可用。所有银行都必须
预充电和必要的预充电延迟
（ TRP ）之前的SDRAM可以进入必须发生
掉电模式。一旦掉电模式
通过举办CKE低，所有的接收器发起税务局局长
cuits除了CLK和CKE被门关闭。电源
关断模式不执行任何操作刷新
系统蒸发散，因此该设备不能停留在电源
关断模式比的刷新周期（ TREF ）
该设备。退出该模式是由着以执行
ING CKE “高” 。一个时钟延迟所需的
模式的进入和退出。
自动预充电
两种方法可用于预充电
SDRAM芯片。在自动预充电模式中，
CAS时序接受一个额外的地址， CA10 ，到
确定芯片是否后恢复与否
操作。如果CA10为高电平时读命令
发出后，
阅读自动预充电
功能
被启动。在SDRAM自动进入
最后一个数据之前，预充电操作的一个时钟
出了CAS延迟2 ，两个时钟的CAS laten-
资本投资者入境计划3和3的时钟CAS延迟4.如果CA10
高发出写命令时，该
写
DQM功能
DQM有两个功能用于数据I / O读和
写操作。在读操作期间，当它变成
“高”在一个时钟定时，数据输出被禁止
并成为高阻抗后两个时钟延迟
（ DQM数据禁用延迟吨
DQZ
） 。它也提供
V55C2128164V （T / B ） 1.2修订版2002年8月
9
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
