V55C2128164V(T/B)
的128Mbit低功耗SDRAM
2.5伏， TSOP II / BGA封装
8M ×16
初步
CILETIV LESO M
6
系统频率（F
CK
)
时钟周期时间（T
CK3
)
时钟存取时间（t
AC3
） CAS延时= 3
时钟存取时间（t
AC2
） CAS延时= 2
时钟存取时间（t
AC1
） CAS延时= 1
166兆赫
6纳秒
5.4纳秒
5.4纳秒
19纳秒
7PC
143兆赫
7纳秒
5.4纳秒
5.4纳秒
19纳秒
7
143兆赫
7纳秒
5.4纳秒
6纳秒
19纳秒
8PC
125兆赫
8纳秒
6纳秒
6纳秒
19纳秒
10
100MHz
10纳秒
7纳秒
8纳秒
22纳秒
特点
■
4银行X的2Mbit ×16组织
■
高速数据传输速率高达166 MHz的
■
全同步动态RAM ，所有的信号
参考时钟的上升沿
■
单脉冲RAS接口
■
数据掩码为读/写控制
■
由BA0 & BA1控制四家银行
■
可编程CAS延时： 1 ， 2 ， 3
■
可编程的缠绕顺序：顺序或
交错
■
可编程突发长度：
1 ， 2 ， 4 ， 8 ，整版的顺序类型
1，2， 4，8为交错型
■
多个突发读取与单写操作
■
自动和控制预充电命令
■
随机列地址每CLK （ 1 -N规则）
■
掉电模式和时钟挂起模式
■
深度掉电模式
■
自动刷新和自刷新
■
刷新间隔： 4096次/ 64毫秒
■
可在54球FBGA封装，具有9x6球阵列
3 depupulated行， 9x8毫米， 54引脚
TSOP II
■
VDD = 2.5V ， VDDQ = 1.8V
■
■
通过标准杆可编程功耗降低特性
在自刷新TiAl基阵列激活
■
工作温度范围
商业（
0℃至70 ℃）
扩展（ -25 ° C至+ 85°C ）
设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70℃
-25°C至85°C
包装外形
T / B
•
•
访问时间（纳秒）
6
•
•
7PC
•
•
7
•
•
8PC
•
•
10
•
•
温度
标志
广告
EXTENDED
V55C2128164V （T / B ） 1.2修订版2002年8月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
