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V62C21164096L-85BI 参数 Datasheet PDF下载

V62C21164096L-85BI图片预览
型号: V62C21164096L-85BI
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内容描述: 256K ×16 , 0.20微米CMOS静态RAM [256K x 16, 0.20 um CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 174 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V62C21164096  
AC Electrical Characteristics  
(over all temperature ranges)  
Read Cycle  
70  
85  
Parameter  
Name  
Parameter  
Min.  
70  
10  
10  
5
Max.  
Min.  
85  
10  
10  
10  
0
Max.  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
Read Cycle Time  
85  
85  
85  
35  
30  
30  
30  
RC  
Address Access Time  
70  
70  
70  
35  
AA  
Chip Enable Access Time  
UBE, LBE Access Time  
ACS  
BA  
Output Enable to Output Valid  
Chip Enable to Output in Low Z  
UBE, LBE to Output in Low Z  
Output Enable to Output in Low Z  
Chip Disable to Output in High Z  
Output Disable to Output in High Z  
UBE, LBE to Output in High Z  
Output Hold from Address Change  
OE  
CLZ  
BLZ  
OLZ  
CHZ  
OHZ  
BHZ  
OH  
0
25  
25  
25  
0
0
0
0
5
10  
Write Cycle  
70  
85  
Parameter  
Name  
Parameter  
Min.  
70  
60  
0
Max.  
Min.  
85  
70  
0
Max.  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
Write Cycle Time  
WC  
t
Chip Enable to End of Write  
Address Setup Time  
CW  
t
AS  
t
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
60  
50  
0
70  
60  
0
AW  
t
WP  
t
Write Recovery Time  
Write to Output High-Z  
Data Setup to End of Write  
Data Hold from End of Write  
UBE, LBE to End of Write  
WR  
t
0
20  
0
25  
WHZ  
t
35  
0
40  
0
DW  
t
DH  
t
60  
70  
BW  
V62C21164096 Rev. 1.6 October 2001  
6