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V62C21164096L-85BI 参数 Datasheet PDF下载

V62C21164096L-85BI图片预览
型号: V62C21164096L-85BI
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内容描述: 256K ×16 , 0.20微米CMOS静态RAM [256K x 16, 0.20 um CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 174 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V62C21164096  
Data Retention Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Power  
Min.  
Typ.(2)  
Max.  
Units  
VDR  
VCC for Data Retention  
1.2  
3.0  
V
CE1 VCC 0.2V, CE2 < 0.2V, VIN VCC 0.2V,  
or VIN 0.2V  
ICCDR  
Data Retention Current  
Coml  
L
LL  
L
1
0.5  
3
2
µA  
CE1 VDR 0.2V, CE2 < 0.2V, VIN VCC 0.2V,  
or VIN 0.2V, VDR = 1.2V  
Ind.  
5
LL  
4
tCDR  
tR  
NOTES:  
Chip Deselect to Data Retention Time  
0
ns  
ns  
(1)  
Operation Recovery Time (see Retention Waveform)  
t
RC  
1.  
2.  
t
T
RC = Read Cycle Time  
A = +25°C.  
Low VCC Data Retention Waveform (CE Controlled)  
Data Retention Mode  
DR 1.2V  
VCC  
CE1  
2.3V  
tCDR  
2.3V  
V
tR  
CE1 VCC 0.2V  
2.0V  
2.0V  
V62C21164096 Rev. 1.6 October 2001  
5