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V54C316162V-55 参数 Datasheet PDF下载

V54C316162V-55图片预览
型号: V54C316162V-55
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内容描述: 200/183/166/143 MHz的3.3伏, 4K刷新超高性能1M ×16 SDRAM 2组X达512Kbit ×16 [200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 4K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 21 页 / 306 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V54C316162V  
5. Burst Write Operation  
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)  
T0  
T1  
T2  
T3  
T4  
T5  
T6  
T7  
T8  
CLK  
NOP  
WRITE A  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
COMMAND  
I/Os  
DIN A  
0
dont care  
DIN A  
DIN A  
DIN A  
3
1
2
The first data element and the Write  
are registered on the same clock edge.  
Extra data is ignored after  
termination of a Burst.  
6.1 Write Interrupted by a Write  
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)  
T0  
T1  
T2  
T3  
T4  
T5  
T6  
T7  
T8  
CLK  
NOP  
WRITE A  
WRITE B  
DIN B0  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
COMMAND  
I/Os  
1 Clk Interval  
DIN A0  
DIN B1  
DIN B2  
DIN B3  
V54C316162V Rev.2.9 September 2001  
16  
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