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V54C316162V-55 参数 Datasheet PDF下载

V54C316162V-55图片预览
型号: V54C316162V-55
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内容描述: 200/183/166/143 MHz的3.3伏, 4K刷新超高性能1M ×16 SDRAM 2组X达512Kbit ×16 [200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 4K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 21 页 / 306 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V54C316162V  
3. Read Interrupted by a Read  
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)  
T0  
T1  
T2  
T3  
T4  
T5  
T6  
T7  
T8  
CLK  
READ A  
READ B  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
COMMAND  
CAS latency = 2  
DOUT A0  
DOUT B0  
DOUT A0  
DOUT B1  
DOUT B0  
DOUT B2  
DOUT B1  
DOUT B3  
DOUT B2  
t
CK2, I/Os  
CAS latency = 3  
DOUT B3  
t
CK3, I/Os  
4.1 Read to Write Interval  
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)  
T0 T1 T2  
T3  
T4  
T5  
T6  
T7  
T8  
CLK  
Minimum delay between the Read and Write Commands = 4+1 = 5 cycles  
tDQW  
DQM  
tDQZ  
NOP  
READ A  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
WRITE B  
NOP  
NOP  
COMMAND  
I/Os  
DIN B  
0
DIN B  
1
DIN B  
DOUT A  
2
0
Must be Hi-Z before  
the Write Command  
: Hor L”  
V54C316162V Rev.2.9 September 2001  
14  
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