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    V29LC51001 参数 Datasheet PDF下载

    V29LC51001图片预览
    型号： V29LC51001
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 55 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第11页  
    MO SEL VITELIC  
    V29LC51001  
    (1)  
    Waveforms of Erase Cycle  
    tWC  
    tAS  
    2AAAH  
    ADDRESS  
    5555H  
    5555H  
    tAH  
    5555H  
    2AAAH  
    SA  
    CE  
    OE  
    WE  
    tWP  
    tWPH  
    tCS  
    tDS  
    10H for  
    tDH  
    Chip Erase  
    AAH  
    55H  
    80H  
    AAH  
    55H  
    30H  
    I/O  
    51001-10  
    NOTES:  
    1. PA: The address of the memory location to be programmed.  
    2. PD: The data at the byte address to be programmed.  
    3. SA: The sector address for Sector Erase. Address = don’t care for Chip Erase.  
    V29LC51001 Rev. 0.5 October 2000  
    7

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