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    CM150E3U-12F 参数 Datasheet PDF下载

    CM150E3U-12F图片预览
    型号： CM150E3U-12F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel]
    分类和应用： 局域网栅功率控制晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 80 K
    品牌： MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CM150E3U-12F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CM150E3U-12F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CM150E3U-12F的Datasheet PDF文件第4页  
    MITSUBISHI IGBT MODULES
    CM150E3U-12F
    HIGH POWER SWITCHING USE
    CM150E3U-12F
    ¡I
    C ...................................................................
    150A
    ¡V
    CES ............................................................
    600V
    ¡Insulated
    Type
    ¡1-element
    in a pack
    APPLICATION
    Brake
    OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
    Dimensions in mm
    Tc measured point
    94
    7
    17
    80
    ±0.25
    23
    23
    2–φ6.5 MOUNTING HOLES
    4
    E2 G2
    24
    C2 E1
    E2
    C1
    4 11
    13
    CM
    48
    24
    27
    24
    12
    3–M5 NUTS
    12mm deep
    13.5
    G1 E1
    1MAX
    7.5
    RTC
    C2E1
    E2
    C1
    30
    –0.5
    +1
    LABEL
    21.2
    CIRCUIT DIAGRAM
    Mar.2002
    E2 G2
    16 2.5
    25
    2.5 16
    TAB #110. t=0.5

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